SSD Samsung 9100 Pro 8TB MZ-VAP8T0BW
2025 г., 8 ТБ, M.2, PCI Express 5.0 x4, 2.0, 2280, 4800 TBW, 14 800 Мбайт/с, 13 400 Мбайт/с, 1 500 000 ч, 3.88 мм
Совместимость: есть
Совместимость: есть
Нет в наличии
Представленная информация о товаре носит исключительно ознакомительный характер и не является публичной офертой. Производители оставляют за собой право изменять внешний вид, характеристики и комплектацию товара без предварительного уведомления продавцов и покупателей. Просим отнестись с пониманием к возможным расхождениям и заранее приносим извинения за неточности в описании или фотографиях.
★ Главное
×
❮
❯
![]()
| Общая информация | |
|
Бренд
Бренд — это не просто название или логотип, а целостный образ компании или продукта в сознании потребителя, включающий уникальные ассоциации, эмоции, ценности, репутацию и обещание качества, которые отличают его от конкурентов и делают узнаваемым.
|
Samsung |
| Дата выхода на рынок | 2025 г. |
| Основные | |
| Объём | 8 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x4 |
| Версия NVMe | 2.0 |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 4800 TBW |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Presto S4LY027 |
| Технические характеристики | |
| DRAM-буфер |  |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 14 800 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 13 400 Мбайт/с |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Толщина | 3.88 мм |
| Охлаждение |  |
| Подсветка | |
| Совместимость с PS5 | |
| Средняя скорость случайного чтения | 2 200 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 2 600 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 10.5 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 8.6 Вт |
| Объем DRAM-буфера | 8192 МБ |
| Комплектация | |
| Тип поставки | RTL (в коробке) |
